高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

作者：林磊; 杨德仁; 马向阳; 李立本; 阙端麟

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (10): 1273-1276.

• 快速热处理
• 氧沉淀
• 直拉硅单晶 rapid thermal
• oxygen precipitates
• Czochralski silicon

通过对已经过两步 (低 -高 )退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理 ,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况 .研究证实 :高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀 ,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度 .另外 ,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制 .

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学