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摘要
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势，GaN基（包括InN、GaN、AlN及其合金）半导体技术近10年来得到了飞速的发展，特别是AlGaN/GaN HEMT器件得到迅猛发展，其大功率特性和频率特性取得巨大的进步。但是传统AlGaN/GaN单异质结构的限域性不高会对GaN HEMT器件的性能造成多方面的影响，如大信号增益不高、器件高漏压下夹断特性不好以及缓冲层存在漏电等。为了解决这些问题，人们提出了GaN双异质结构。双异质结构通过引入背势垒，使得沟道的限域性得到显著提高，能够有效抑制短沟道效应，提高大功率应用时的击穿特性，其优良的高温特性使得器件可以更适用于更高温的恶劣工作环境...
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