第二十讲 真空离子镀膜

作者：张以忱

来源：真空, 2018, 55(06): 84-86.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.19

• 离子镀膜
• 基片温度
• 沉积速率
• 离子镀装置
• 基体表面
• 基体温度
• 离化率

<正>(接2018年第5期第88页)6.3蒸发源功率蒸发源功率提高,则膜材蒸发率增加,一般而言,膜的沉积速度也相应增加。蒸发源功率对蒸发速率的影响比较直接,但蒸发粒子达到基片之前需飞越放电空间,要受到空间气体粒子的碰

• 单位
  东北大学