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摘要
采用Sonogashira偶联反应,制备了几种以芴或咔唑为间隔基的新型金属卟啉共轭聚合物.这些新型金属卟啉共轭聚合物具有较高的分子量、很好的溶解性和成膜性.其光谱性质和光电流响应结果表明,聚合物中卟啉的含量是影响卟啉聚合物光电流响应的主要因素,且咔唑基团的引入有利于卟啉聚合物光电流的产生.
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单位中国科学院化学研究所; 高分子物理与化学国家重点实验室
采用Sonogashira偶联反应,制备了几种以芴或咔唑为间隔基的新型金属卟啉共轭聚合物.这些新型金属卟啉共轭聚合物具有较高的分子量、很好的溶解性和成膜性.其光谱性质和光电流响应结果表明,聚合物中卟啉的含量是影响卟啉聚合物光电流响应的主要因素,且咔唑基团的引入有利于卟啉聚合物光电流的产生.
