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摘要
本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490～530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构，该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡，用来实现高效的功率合成，还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率。同时，开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究，以便最大化提升倍频性能。最终，在大约80～200 mW的输入功率驱动下，研制的510 GHz三倍频，在490～530 GHz频率范围内，输出功率为4～16 mW，其中峰值倍频效率11%。在522GHz频点处，该三倍频在218 mW的输入功率驱动下，产生16 mW的最大输出功率。该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源。
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单位中国工程物理研究院电子工程研究所; 中国工程物理研究院
