基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

作者：姚小江; 李宾; 陈延湖; 陈小娟; 魏珂; 李诚瞻; 刘丹; 刘果果; 刘新宇; 王晓亮; 罗卫军

来源：电子器件, 2007, 30(04): 1137-1139.

DOI：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.003

• 微波功率放大器
• AlGaN/GaN HEMT
• 混合集成电路(MIC)

我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.

• 单位
  四川龙瑞微电子有限公司; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院微电子研究所