异质形核生长高效多晶硅研究

作者：陈欣文; 黄俊; 简学勇; 李建敏^*

来源：江西化工, 2020, 36(06): 95-98.

DOI：10.14127/j.cnki.jiangxihuagong.2020.06.028

• 异质形核
• 多晶硅
• 全熔工艺
• 少子寿命
• 硅锭出材率
• 电池效率

本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角。结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21%,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高。

• 单位
  江西赛维ldk太阳能高科技有限公司; 国家光伏工程技术研究中心; 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司