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摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法,主要解决现有技术信号采集速度慢、信号电荷回流和电荷转移效率低的问题,其包括:衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)和钝化层(6),衬底的下面淀积有漏极(11),外延层的右上角淀积有源极(10),多晶硅栅的上面淀积有泵栅电极(8)和传输栅电极(9),且设有电荷存储区(21)、光电响应区域(22)和阈值电压调整区(23),泵栅电极和传输栅电极的上面淀积有像素互联金属(7)。本发明提升了光电信号电荷的采集速度和电荷转移效率,改善了三维深度成像雷达系统的探测精度,可用于虚拟现实、无人机和自动驾驶雷达系统。
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