晶粒尺寸和膜厚对磁控溅射法制备Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜介电性能的影响(英文)

作者：晏子敬; 吕忆农; 刘云飞; 高虹; 马成建; 蒋晓威

来源：硅酸盐学报, 2016, 44(09): 1287-1292.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.09.06

• 铌镁酸铋薄膜
• 磁控溅射
• 晶粒尺寸
• 膜厚
• 介电性能
• 调谐率

采用磁控溅射法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备立方焦绿石结构Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜。通过控制750℃下后退火时间来控制薄膜的平均晶粒尺寸,用沉积时间控制膜厚。研究不同晶粒尺寸和膜厚对BMN薄膜相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,当BMN薄膜平均晶粒尺寸为45 nm、膜厚为430 nm时,薄膜介电性能提高显著,1 MHz下介电常数为112.4,介电损耗为0.001 82,在0.93 MV/cm外加电场条件下,介电调谐率为27.7%。

• 单位
  材料化学工程国家重点实验室; 南京工业大学