Mg掺杂CaCu3Ti4O12薄膜的制备与表征(英文)

作者：姜明; 程战; 赵丹; 张雷; 徐东^*

来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2022, 32(05): 1589-1597.

• 介电材料
• CaCu3Ti4O12
• Mg掺杂
• 介电常数
• 介电损耗
• 压敏性能

采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu3-xMgxTi4O12(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2，摩尔分数，%)薄膜。对掺Mg的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究。与未掺杂的CCTO薄膜相比，掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小。此外，与未掺杂的CCTO薄膜相比，掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性。同时，Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在104～106 Hz频率范围内的介电损耗。结果表明，与未掺杂的CCTO薄膜相比，掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性，x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0。

• 单位
  安徽工程大学; 安徽工业大学