一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法

作者:张春福; 刘丁赫; 张泽雨林; 赵胜雷; 陈大正; 张进成; 郝跃
来源:2023-09-04, 中国, CN202311130773.7.

摘要

本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管,包括:异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N-氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构,极大地降低了器件热阻,提高散热能力,有效地提高了器件的使用可靠性。此外,本发明引入P型氧化镍形成异质PN结,解决了氧化镓P型掺杂难的问题。本发明还提供一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管的制备方法,采用异质集成方法将高热导率异质衬底与氧化镓结合,实现热场、电场、结构力场等多物理场耦合,提供了缓解氧化镓基器件严重自热效应的改良方案,有利于发展适用于高电压高功率低热阻的氧化镓基电力电子器件。