3D NAND闪存制造所面临的硅晶圆斜面缺陷挑战和解决方案

作者：Pradeep Nanja

来源：电子工业专用设备, 2019, 48(06): 16-18.

<正>随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能产生的缺陷也越来越多。目前,业内人士正在尝试降低晶圆边缘的缺陷密度,以提高晶圆的整体良率。为了提高良率,常见的晶圆斜面缺陷,例如剥落(或分层)、颗粒污染、电弧和微屏蔽等,是工程