利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

作者：张可锋; 吴小利; 唐恒敬; 乔辉; 贾嘉; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2007, S1: 947-950.

• LBIC技术
• InGaAs
• 探测器
• 光敏感区 LBIC technique
• detector
• photoactive area

室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测(LB IC)系统测试了平面结InGaAs(P-I-N)探测器芯片的光敏元,证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看,掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应,是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素,并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室