超薄SGOI衬底上全局应变Si的制备和表征

作者：刘旭焱; 王爱华; 蒋华龙; 濮春英; 姚文华; 崔本亮

来源：南阳师范学院学报, 2013, 12(03): 14-18.

• 应变Si
• Ge浓缩
• 应变弛豫 strained Si
• Ge condensation
• strain relaxation

应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能.

• 单位
  电子工程学院; 南阳师范学院