摘要

采用离子注入的方法制备了Eu3+,Tm3+离子共掺杂GaN薄膜。通过温度依赖光致发光光谱研究了GaN:Eu3+薄膜中Eu3+的发光特性,发现了三类具有不同温度依赖特性的Eu3+发射峰。利用阴极荧光光谱探究了GaN:Eu3+,Tm3+薄膜的光谱性质,发现随着Tm3+剂量的增加,Eu3+发射强度以及Tm3+的I480/I806强度比值均发生降低,分析表明存在Eu3+→Tm3+离子的能量传递,并通过计算分析证明其能量传递机制主要为电偶极子-电偶极子相互作用。通过改变Eu3+、Tm3+离子在GaN薄膜中的剂量比例,实现了材料发光颜色的有效调控。