不同Ge组分a-Si1-xGex键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响(英文)

作者：周锦荣; 鲍诗仪; 佘实现; 黄志伟; 柯少颖^*

来源：光子学报, 2022, 51(09): 126-135.

• InGaAs/Si雪崩光电二极管
• a-SiGe键合层
• 暗电流
• 增益带宽积

采用非晶半导体中间层键合(SIB)实现键合界面失配晶格的阻断是实现高质量Si基InGaAs薄膜制备的最佳选择。本文在InGaAs/Si键合界面插入一层非晶锗硅(a-Si1-xGex)键合层，模拟了不同Ge组分对InGaAs/Si APD复合率、能带、隧穿、电荷堆积等参数的影响。器件在室温下获得极低的暗电流(～10-10A@95%雪崩电压)，增益和增益带宽积分别高达30 GHz和60 GHz。本文将为低噪声近红外APD的研制提供理论指导。

• 单位
  闽南师范大学