一种低相噪X波段振荡器设计

作者：张朋奇

来源：电子世界, 2020, (08): 132-136.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.08.072

<正>SiGe HBT晶体管具有优异的高频噪声特性,根据负阻振荡理论并且采用单电源供电方式设计了一款X波段振荡器。利用微波有源器件的小信号S参数模型进行仿真设计。测试表明,振荡器的中心频率为8.38GHz,输出功率为6dBm,偏离振荡频率100kHz和1MHz处的相位噪声分别为-112dBc/Hz和-126.7dBc/Hz,

• 单位
  中国空空导弹研究院