一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究

作者：张登军; 逯钊琦

来源：电子科技, 2018, 31(12): 81-85.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.12.019

• 静电保护
• 失效分析
• ESD潜在损伤
• FIB
• EMMI

目前国内存储器芯片快速发展,非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点,NAND Flash发展到24 nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产品中,芯片的制造工艺不断提升,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例,这个可靠性问题越来越被关注。文中对发生问题的集成电路产品进行失效分析,找到失效原因与机理是一项重要的工作,为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,文中提出了一种有效分析纳米级存储器芯片的静电保护电路失效分析方法,从而改进和加强芯片管脚的静电保护电路。

• 单位
  珠海博雅科技有限公司