多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究

作者：马楠; 邓军; 史衍丽; 崔碧峰; 李晓波; 张蕾; 沈光地

来源：半导体光电, 2008, (04): 528-530+534.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2008.04.018

• 多量子阱
• 红外
• 衬底减薄
• 光耦合 multiple quantum wells
• infrared
• thinning substrate
• optical coupling

GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响。采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm。在77 K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因。

• 单位
  北京工业大学; 昆明物理研究所