双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构

作者：李明达^*; 李普生

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(06): 456-464.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.013

• 埋层外延
• 图形漂移
• 图形畸变
• 缓冲层

利用PE2061s型常压桶式多片外延炉,在P型双埋层图形硅衬底上沉积生长高均匀性低缺陷的N型外延层。通过研发衬底背面杂质掩蔽、附面层虹吸效应、高补偿缓冲层生长等技术,使外延层图形漂移率、图形畸变率、均匀性以及表面质量等关键指标明显改善,最终制备出图形漂移率72%,图形标记长宽比保持为1∶1,电阻率的片内不均匀性<1.5%,片间不均匀性<2%,表面无亮点、凹坑和雾迹等缺陷的埋层硅外延片。采用该外延片制备的双极IC芯片经测试满足各项电参数指标要求,表明常规埋层关键工艺取得了关键突破,可以满足工程化批产要求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所