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摘要
为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力，针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究，基于敏感节点对分离和电荷补偿原理，设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固的触发器链，通过流片和封装后对芯片进行了抗单粒子翻转试验。试验结果表明，采用的2种版图加固方法可使单粒子翻转数下降95%以上；当入射重离子LET值为37 MeV·cm2·mg-1时，电荷补偿原理的版图加固结构抗单粒子翻转性能更强；28 nm工艺下，版图加固最优敏感节点对的距离为3倍标准单位距离。
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单位中国航天科技集团有限公司; 北京微电子技术研究所
