摘要
在环境扫描电镜(ESEM)中配置加热台,对Al2O3样品进行加热实验。结果表明,Al2O3表面的荷电效应随温度的稳定升高而逐渐减小。当温度上升至~360℃时,荷电效应完全消除,得到清晰的二次电子(SE)像。在加热过程中,Al2O3样品的吸收电流(Ia)值不断提高,在~360℃时达到2.67×10-7A。这个值相当于Al样品台的Ia值,表明加热可增加Al2O3表面的导电率。此外,在高真空环境中通过加热消除荷电后,得到的Al2O3样品的SE像衬度优于通常在低真空环境中通过电子-离子中和作用得到的图像衬度。
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单位中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 北京工业大学