一种提高SGT MOSFET雪崩耐量的方法

作者：唐威; 俱帅; 张蕾

来源：西安邮电大学学报, 2023, 28(04): 28-35.

DOI：10.13682/j.issn.2095-6533.2023.04.004

• 雪崩耐量
• 屏蔽栅沟槽型MOSFET
• 元胞
• 非钳位感性负载开关

提出了一种提高屏蔽栅沟槽型(Shielded-Gate Trench,SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)雪崩耐量的方法。利用Sentaurus计算机辅助设计软件，通过调整屏蔽栅沟槽型MOSFET元胞区接触孔宽度、深度、注入剂量和注入能量，以降低P型体区电阻，抑制寄生三极管的开启，提高器件雪崩耐量。测试结果表明，优化后的器件雪崩耐量相较基准条件由518.2 mJ提升至583.2 mJ,提升约12.6%。

• 单位
  电子工程学院; 西安邮电大学