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摘要
GaN射频器件通过MOCVD方法在大尺寸SiC衬底上生长高质量的GaN薄膜和GaN/AlGaN异质结。利用成熟半导体工艺设备和薄膜芯片制备技术,开发GaN射频器件制造和封装技术。通过工艺整合、良率及量产稳定性,形成GaN异质结外延材料、芯片制备和器件封装一系列完整产业链,实现高性能GaN射频器件的关键技术突破。
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GaN射频器件通过MOCVD方法在大尺寸SiC衬底上生长高质量的GaN薄膜和GaN/AlGaN异质结。利用成熟半导体工艺设备和薄膜芯片制备技术,开发GaN射频器件制造和封装技术。通过工艺整合、良率及量产稳定性,形成GaN异质结外延材料、芯片制备和器件封装一系列完整产业链,实现高性能GaN射频器件的关键技术突破。
