本发明公开了一种金刚石表面低能耗合成一维SiAlON的制备方法,所述制备方法包括以下步骤,(1)将硅粉与金刚石粉按照适当比例均匀搅拌并加以复合粘结剂混合;(2)将混合粉压制成高孔隙率形状规则预制坯;(3)将预制坯干燥处理,与铝块一起放入管式炉内加热;(4)炉内与大气相通,常压保温,冷却后,金刚石表面制备出一维SiAlON。本发明利用氮化反应法和碳热还原氮化法合成一维SiAlON,以低成本、低能耗合成高纯度一维SiAlON。