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摘要
为研究栅氧化物不同老化程度下，电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响，结合高温栅偏和电子辐照两种实验对SiC MOSFET电学特性进行了分析。讨论了栅氧化物受到高温和强电场应力后，电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响，实验时将被测器件裸露在空气中。实验结果表明高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感，提出了电子辐照对SiC MOSFET高温栅偏老化后阈值电压影响的指数关系，且0.2MeV电子能量辐照300kGy剂量可将39V 150℃ 2h高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。在Sentaurus TCAD仿真软件中建立了SiC MOSFET基础数值模型，设置氧化物内电子浓度和空穴陷阱，模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响，讨论了阈值电压恢复机制。
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单位强电磁工程与新技术国家重点实验室; 电子工程学院; 华中科技大学
