1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO

作者：刘建峰; 成立; 杨宁; 周洋; 凌新; 严鸣

来源：半导体技术, 2010, (05): 473-477.

• 锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路
• LC压控振荡器
• 宽带
• 相位噪声 SiGe BiCMOS analog IC
• LC voltage controlled oscillator
• wide-bank
• phase noise

设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0～3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9～2.1 GHz,2.1～2.4 GHz,2.4～3.0 GHz,3.0～3.4 GHz,3.4～4.2 GHz,4.2～5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9～5.7 GHz宽带VC...

• 单位
  江苏大学; 南通职业大学