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摘要
基于铌酸锂（LN）薄膜的横向激发体声波谐振器（XBAR）能够兼具大机电耦合系数（K2）和高谐振频率（f）特性，有望满足5G应用的频段要求。然而，常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差，频率温度系数（TCF）较低。该文提出一种具有SiO2温度补偿层的SiO2/LN双层结构XBAR,并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明，该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称（A1）兰姆波。通过合理优化结构参数配置，能够获得高谐振频率（f～4.75 GHz）和大机电耦合系数（K2～8%）,同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF～-36.1×10-6/℃),相较于单层XBAR结构提高了近70×10-6/℃,这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。
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