Nb:SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究

作者：单月晖; 连潞文; 高媛; 魏佳男; 杜翔; 唐新悦; 罗婷; 谭开洲; 张培健

来源：微电子学, 2022, 52(06): 1033-1038.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220323

• Nb∶SrTiO3阻变单元
• 总剂量效应
• 1T1R
• X射线辐射

开展了Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明，Nb∶SrTiO3阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性，高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感，在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下，NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移，泄漏电流逐渐增加，进一步导致关态条件下(VG=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管，可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十九研究所; 中国电子科技集团公司第二十四研究所