掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道结构的三维超级电容器

作者：顾林玲

来源：其他, 2012.

• 锆掺杂氧化镍
• 电化学性质
• 硅微通道板 Zr doped NiO
• Electrochemical properties
• Si-MCP

本文主要制作了掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道板结构的三维超级电容器。本文中的硅微通道板(Si-MCP)由光辅助电化学刻蚀工艺制得,并将此结构作为所需三维电容器结构的骨架。然后采用无电镀的方法在硅微通道壁及硅微通道板表面均匀沉积一层掺锆镍金属层,将样品在氧气氛围中500℃退火,在硅微通道表面得到掺锆氧化镍层。文中用场发射扫描电子显微镜(FESEM),能量色散谱仪(EDX)表征了此样品的结构和表面形貌以及元素组成,用循环伏安法(CV)和计时电位测试表征了该样品的电化学特性,结果表明相比氧化镍/硅化镍/硅微通道结构电容,掺Zr氧化镍/硅化镍/硅微通道结构电容性能有较大提升。 论文包括以下几个方面...

• 单位
  华东师范大学