电吸收调制激光器EML的结对准工艺研究

作者：宋洁晶; 张奇; 李亮

来源：集成电路应用, 2023, 40(07): 8-10.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.07.004

• 电吸收调制激光器
• 结对准
• 干法刻蚀

阐述关键工序结对准工艺的实验研究，制备1 310nm的EML器件。先使用电感耦合等离子体（ICP）进行表层材料刻蚀，通过优化刻蚀气体比例和功率等工艺参数，得到垂直度较高，表面光滑的刻蚀条件。接着使用InGaAsP选择腐蚀液，通过改变湿法腐蚀工艺的浓度配比和腐蚀条件，最终得到侧壁平滑的结构，为多次外延提供了基础。采用该结对准工艺制备的1 310nm EML器件，室温下阈值电流为12mA，斜率效率为0.25W/A,100mA下的输出功率为22mW，消光比为13dB。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所