基于SiO2/ZnO/SiO2/SiC复合结构瑞利波谐振器设计

作者：刘智荣; 谢立强^*; 朱敏; 包文岐

来源：传感器与微系统, 2022, 41(01): 75-77.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)01-0075-03

• 瑞利波
• 谐振器
• 有限元仿真
• 相速度
• 机电耦合系数

采用有限元法建立了ZnO/SiC,ZnO/SiO2/SiC和SiO2/ZnO/SiC这3种不同复合结构模型,仿真分析了ZnO薄膜厚度一定的情况下,不同厚度SiO2薄膜对谐振器瑞利波相速度、机电耦合系数的影响,并根据分析结果设计出了基于SiO2/ZnO/SiO2/SiC复合结构瑞利波谐振器的具体尺寸。结果表明:设计的谐振器激发出的瑞利波相速度为7 268.1 m/s,且器件具有3.52%的高机电耦合系数。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学