Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究

作者：陈绍华; 穆文祥^*; 张晋; 董旭阳; 李阳; 贾志泰^*; 陶绪堂

来源：人工晶体学报, 2023, 52(08): 1373-1377.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20230419.002

• 氧化镓
• 宽禁带半导体
• 光电性能
• 宽带近红外发光
• 导模法
• Ni掺杂

本文使用导模(EFG)法生长了Ni掺杂β-Ga2O3单晶，并通过粉末X射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量。进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni2+掺杂对β-Ga2O3光学特性的影响，发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV。此外，阴极荧光(CL)光谱测试结果显示，Ni2+掺杂β-Ga2O3单晶在600～800 nm具有宽带近红外发光特性，有望拓宽β-Ga2O3单晶材料在宽带近红外方面的应用。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室