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摘要
我们采用机械转移法，在单层MoS2上制备铟电极，研究了通过外加电极调节载流子浓度对单层MoS2光致发光的影响。结果显示：外加正向电压，峰位有轻微的红移，并且强度有所下降。外加反向电压，得到了完全相反的情况。说明通过外加电压能够有效的调节MoS2中载流子的浓度，改变中性激子和带电激子的比例，进一步影响单层MoS2光致发光光谱的强度及峰位。为研究二维材料MoS2的发光机制提供了参考，也为控制二维材料的光致发光强度提供了新的途径。
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单位电子工程学院
