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摘要
本发明公开了一种基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法,主要解决现有GaN基增强型器件沟道退化和栅控能力弱的问题。其包括：衬底1、缓冲层2、未掺杂的高阻GaN层3、未掺杂的AlGaN势垒层4及其上左右两端的源电极9和漏电极10,未掺杂的AlGaN势垒层上中间位置设有本征GaN隔离层5,本征GaN隔离层依次往上为p-GaN帽层6、SiN绝缘层7以及栅电极8。本发明改善了因Mg扩散导致沟道退化及高温导致栅极退化的情况,提高了器件的阈值电压、减小栅极漏电流,且通过自对准栅结构,提高了器件的栅控能力,可用于GaN基逻辑电路和开关电路。
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