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摘要
研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200 mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200 mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性的影响机制。结果表明,在载气总流量为80 L/min、外延生长温度为1 125℃的条件下,通过设计2μm的基座浅层包硅厚度,以及高达6μm/min的生长速率等多项自掺杂抑制措施,成功使同一热流场系统内薄层和厚层硅外延片均达到片内厚度不均匀性小于1. 0%、电阻率不均匀性小于1. 5%的水平,满足VDMOS器件的使用要求。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
