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摘要
本发明公开了一种氮化物PN结肖特基二极管,主要解决现有垂直型氮化物肖特基二极管击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极(5)、衬底(1)、n～+Al-xGa-(1-x)N传输层(2)、钪钇铝氮/氮化镓叠层结构(3)、钪钇铝氮/氮化铝叠层结构(4)及阳极(6)。这两个叠层结构(3,4)中的氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长,每层钪钇铝氮厚度为3nm-50nm,组分保持不变,两者的总厚度和周期相同或不同,且整体钪组分为0％-35％,钇组分为0％-25％。本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结,利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压,降低了反向漏电,提高了击穿电压,可用于微波整流和功率开关电路。
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