一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片

作者：李国强; 张云鹏; 张子辰

来源：2018-03-31, 中国, ZL201820452223.5.

本实用新型公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片,该垂直结构LED芯片,从下至上依次包括Si(100)衬底、Au/Sn键合层、Cr/Pt保护层、阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜、p-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n-GaN层和分列在n-GaN层上表面两侧的Pd/Al/Pt n电极层；其中,所述阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜依次包括阵列NiO纳米点层、Ag层、防氧化Z层；所述阵列NiO纳米点层层沉积在p-GaN层上。该NiO阵列纳米点在纳米尺度拥有量子尺寸效应和三维光栅效应,能进一步提高垂直结构LED芯片出光效率。

• 单位
  华南理工大学