ZnO纳米棒与Si(111)和Si(100)衬底的外延关系(英文)

作者：唐斌; 邓宏; 张强; 税正伟; 刘忠华

来源：微纳电子技术, 2011, (04): 237-241.

• ZnO纳米棒
• 热蒸发
• 外延生长
• 晶格常数
• 失配 ZnO nanorod
• thermal evaporation
• epitaxial growth
• crystal lattice constant
• mismatch

运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒。SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100nm,长度均匀,大约3μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长。通过实验结果与理论分析得出:对于Si(111)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿6个对称方向生长,而且与基片之间的夹角为54.7°,ZnO与Si(111)的外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[141]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[411]Si,或[0001]ZnO‖[4]Si。对于Si(100)基...

• 单位
  西南石油大学; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室