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摘要
本发明提供了一种基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管的制备方法,属于半导体器件技术领域。包括在衬底上制备金属氧化物层；采用化学气相沉积法制备薄层石墨烯；将两个等尺寸的薄层石墨烯转印到金属氧化物层表面的不同区域上；在两个薄层石墨烯上以及金属氧化物层表面位于两个薄层石墨烯之间形成的沟道上沉积栅绝缘层,最后在栅绝缘层表面制备栅电极层,即获得基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明还提供了一种所述的制备方法制备的基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明通过金属氧化物与石墨烯之间形成的异质结,使得金属氧化物与薄层石墨烯界面有着更小的界肖特基势垒,有效提升载流子在界面处的运输,从而提升器件性能。
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