基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器

作者:李辰辰; 高一强; 孙晓玮; 钱蓉; 周健; 杨明辉
来源:传感器与微系统, 2024, 43(01): 95-98.
DOI:10.13873/J.1000-9787(2024)01-0095-04

摘要

提出了一种基于砷化镓—集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3 dB功率分配器。使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能。对提出的功分器进行了理论分析,并以20 GHz为中心频率完成设计,电路尺寸为0.04λ0×0.053λ0,λ0为中心频率处的自由空间波长。经过测试,其相对工作带宽为80%,带内插损0.7 dB,端口隔离高于20 dB。测试结果与仿真结果保持了良好的一致性。

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