ZnAl_2O_4的电子结构及光学性质的第一性原理计算

作者：可祥伟; 张蓉; 杨春燕; 刘骞; 张利民

来源：人工晶体学报, 2013, (02): 268-272.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.02.030

• ZnAl2O4
• 电子结构
• 布居分布
• 光学性质 ZnAl2O4
• electronic structure
• population analysis
• optical properties

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对ZnAl2O4的能带结构、态密度、布居分布及光学性质进行了理论计算。结果表明:ZnAl2O4为直接带隙半导体,能带宽度为3.91 eV;价带主要由O2p态和Zn3d态构成,导带主要由Al3s,3p态构成;ZnAl2O4为离子和共价兼有的化合物;并利用计算的能带结构和态密度分析了ZnAl2O4材料的复介电函数,光电导率,折射率以及消光系数等光学性质。且静态介电函数ε1(0)=3.35,静态折射率n0=1.83。

• 单位
  西北工业大学