发光二极管中负电容现象的实验研究

作者：王军; 冯列峰; 朱传云; 丛红侠; 陈永; 王存达

来源：光电子.激光, 2006, 17(1): 1-4.

DOI：10.3321/j.issn:1005-0086.2006.01.001

• 发光二极管(LEDs)
• 正向交流(a.c.)特性
• 负电容(NC)
• 电压调制发光(VMEL)

对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究.实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象.电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因.测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显.

• 单位
  佛山科学技术学院; 天津大学