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摘要
目的探讨大鼠脑缺血再灌注后核转录因子LMO4和pCREB在缺血半暗带的表达规律及与凋亡抗原的共表达。方法将雄性SD大鼠随机分为假手术组及缺血再灌注1h、3h、6h、12h、24h、48h组,线栓法制备局灶性大脑中动脉闭塞(MCAO)模型,缺血2h后恢复再灌住,采用Western blot法、免疫荧光法检测LMO4、pCREB在缺血半暗带的表达变化,免疫荧光双标观察LMO4、pCREB的表达定位及与TUNEL阳性细胞之间的共表达情况。结果与假手术组比较,缺血侧半暗带皮层组织LMO4蛋白水平再灌后3h开始升高,24h达高峰,48h明显下降,pCREB蛋白水平6h开始升高,24h达高峰,48h逐渐下降(P<0.05或P<0.01);LMO4、pCREB阳性细胞数再灌后6h开始升高,24h达高峰,48h显著下降(P<0.05或P<0.01);免疫荧光双标显示LMO4和pCREB仅表达于神经元,LMO4主要表达于细胞核,少量位于细胞浆,pCREB仅表达于细胞核;LMO4与pCREB完全共表达;LMO4、pCREB均与TUNEL阳性细胞呈分离表达。结论脑缺血再灌后诱导LMO4、pCREB表达升高,并呈动态变化趋势,可能为神经细胞对缺血再灌注损伤的一种内部适应性保护机制。
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