高电子迁移率晶体管功率放大器的设计

作者：徐浩然

来源：电子技术与软件工程, 2019, (21): 95-96.

• GaN
• 高电子迁移率晶体管
• 放大器
• 功率测试

本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。

• 单位
  上海电力大学