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摘要
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管,主要解决现有增强型器件的阈值电压小,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构,且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方,形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高,栅控能力强,源、漏电阻小的优点,可作为小尺寸的增强型器件。
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