1 nm Al插入层调节NiGe/n-Ge肖特基势垒

作者：丁华俊; 薛忠营; 魏星; 张波^*

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(20): 257-263.

• 铝
• 肖特基势垒
• 锗
• 镍

通过引入1 nm铝作为插入层,研究了铝在调制镍与n型锗反应时对镍化锗与n型锗接触的肖特基势垒高度的影响.采用正向Ⅰ-Ⅴ法、Cheung法和Norde法分别提取了镍化锗与n型锗接触的肖特基二极管的串联电阻、势垒高度和理想因子.研究表明,在镍和锗衬底之间引入1 nm铝插入层,能够有效降低势垒高度,且其能够在350℃—450℃保持稳定.

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所