溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究

彭龙; 李元勋; 李乐中; 杨定宇; 朱兴华

摘要

以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。

单位
电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 成都信息工程大学

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更新时间：2020-06-17 13:17

溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究

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