GaN基半导体材料与HEMT器件辐照效应研究

作者：吕玲

来源：博士, 西安电子科技大学, 2013-11-01.

• GaN
• AlGaN/GaN HEMT器件
• 辐照
• 位移损伤
• 缺陷 GaN
• AlGaN/GaN
• HEMTs
• Radiation
• Displacement damage Defects

空间技术的不断发展，对电子器件的可靠性提出了更高的要求。AlGaN/GaNHEMT器件在高频、大功率、高温和高压应用方面具有超强的优势，结合GaN材料出色的抗辐照特性，该器件在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中有很大的应用前景。虽然理论和已有的部分实验结果已经表明了GaN材料具有出色的抗辐照特性，但是实际情况下，由于异质外延生长的GaN材料总是存在高密度的缺陷，而且GaN HEMT器件采用了较为复杂的GaN异质结材料结构，这类异质结材料特性对表面和界面非常敏感，所有这些情况都会使得GaN基材料和HEMT器件抗辐照特性受到很大的影响和挑战。 本文在此背景下，主要是从实验和理论两个方面，...