摘要
为了研究掺铒光纤抗辐照性能,采用改进的化学气相沉积法(MCVD)结合液相掺杂工艺制备相同铒离子掺杂浓度的掺铒光纤和铈/铒共掺光纤并进行500 Gy、1 000 Gy剂量的γ射线辐照试验,对两种光纤辐照前后损耗谱、自发辐射光谱展开对比分析。试验结果显示,经过1 000 Gy剂量辐照后,相比掺铒光纤,铈/铒共掺光纤辐照后1 200 nm波长下本底损耗仅为31.8 dB/km,降低73.2%,同时自发辐射光谱峰值强度增强12.8 dB,提升明显。由此表明共掺铈可改善掺铒光纤抗辐照性能,对其在空间光通信领域应用能力的提升具有重要意义。
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单位中国电子科技集团公司第二十三研究所